士兰微特殊结构器件产品领域SVF7N60 分立器件 以士兰微电子先进、稳定的芯片生产线工艺制造平台和强大的产能为基础,公司开发出了多种半导体分立 器件产品,主要应用于高压功率和特殊结构的器件产品领域,是国内较具规模的器件供应商,部分产品已 经入国际**品牌企业并被大量采用。同时,士兰微电子还大力投入了目前较先进的SiC(碳化硅)和AaN( 氮化镓)化合物材料功率器件的研发。 概 述飞捷电子【联系电话: 15622829450 企业 Q 】 该类方案主要以士兰微电子AC-DC产品为主控芯片,以手机充电器、DVD电源、DVB适配器及PC电源设计为主要应用方向。主芯片SD484X系列特性。 内置PWM控制电路和高压功率MOSFET。相对于控制电路和功率MOSFET分立来说,降低了成本,提高了电路的可靠性。 MOSFET的导通电阻较大值规格分别有:16.8欧姆、9.6欧姆、6.0欧姆、4.8欧姆、3.6欧姆。对应的峰值电流较大值为:0.6 A、0.75 A、0.90 A、1.20 A、1.50A。可以根据实际芯片所需的输出功率进行选择。 主芯片具有低功耗、低启动电流和较低的EMI,较高效率可以达到80%以上。 启动电压和输出电压均可调节,目前电路可以提供的功率范围为:窄电压范围5~18W,宽电压范围7~21W。 内置的15ms软启动电路,减小了主芯片启动时变压器的应力。 主芯片的开关频率为67KHz,振荡产生的频率抖动,可以降低EMI。 在待机模式下,主芯片进入打嗝模式,从而有效地降低主芯片的待机功耗。 主芯片内部集成了各种异常状态保护功能。包括欠压锁定,过压保护,脉冲*消隐,过流保护和温度保护功能。在主芯片发生保护以后,芯片可以不断自动重启,直到系统正常为止。 优 势 依托士兰集成650V MOSFET、650V BCD、25V BCD特殊工艺平台,优化了电源构架(正激、反激、半桥、有源箝位、临界导通、连续导通),可应用于交直流转换的电源产品。所涉及到的产品方案性能高,功耗低,属于绿色电源管理方案,方案实现便利。