LED半导体士兰微SVF18N50T性价比芯片

LED半导体士兰微SVF18N50T性价比芯片         SVF18N50T. F. PN

厦门士兰微SVF13N60AF稳定半导体MOS管
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士兰微大量货源SVF20NE50PN飞捷电子供应
供应士兰微SVF20NE60PN【电子行业】
【LED工厂】士兰微芯片SVF20N50F.PN
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【华强北】大量士兰微MOS管SVF3N50D.MJ
【半导体元器件】士兰微ICMOS管SVF4N90F
概 述飞捷电子【联系电话： 15622829450 企业 Q 】

  
该类方案主要以士兰微电子AC-DC产品为主控芯片，以手机充电器、DVD电源、DVB适配器及PC电源设计为主要应用方向。主芯片SD484X系列特性。

内置PWM控制电路和高压功率MOSFET。相对于控制电路和功率MOSFET分立来说，降低了成本，提高了电路的可靠性。
MOSFET的导通电阻较大值规格分别有：16.8欧姆、9.6欧姆、6.0欧姆、4.8欧姆、3.6欧姆。对应的峰值电流较大值为：0.6 A、0.75 A、0.90 A、1.20 A、1.50A。可以根据实际芯片所需的输出功率进行选择。
主芯片具有低功耗、低启动电流和较低的EMI，较高效率可以达到80％以上。
启动电压和输出电压均可调节，目前电路可以提供的功率范围为：窄电压范围5~18W，宽电压范围7~21W。
内置的15ms软启动电路，减小了主芯片启动时变压器的应力。
主芯片的开关频率为67KHz，振荡产生的频率抖动，可以降低EMI。
在待机模式下，主芯片进入打嗝模式，从而有效地降低主芯片的待机功耗。
主芯片内部集成了各种异常状态保护功能。包括欠压锁定，过压保护，脉冲*消隐，过流保护和温度保护功能。在主芯片发生保护以后，芯片可以不断自动重启，直到系统正常为止。
 
    
 
优 势

  
依托士兰集成650V MOSFET、650V BCD、25V BCD特殊工艺平台，优化了电源构架（正激、反激、半桥、有源箝位、临界导通、连续导通），可应用于交直流转换的电源产品。所涉及到的产品方案性能高，功耗低，属于绿色电源管理方案，方案实现便利。
"分立器件
以士兰微电子先进、稳定的芯片生产线工艺制造平台和强大的产能为基础，公司开发出了多种半导体分立
器件产品，主要应用于高压功率和特殊结构的器件产品领域，是国内较具规模的器件供应商，部分产品已
经入国际**品牌企业并被大量采用。同时，士兰微电子还大力投入了目前较先进的SiC(碳化硅)和AaN（
氮化镓）化合物材料功率器件的研发。
S-Rin?系列高压耗尽型MOS产品
SVD501DEAG
F-Cell?系列高压MOS产品
SVF1 N60M.MJ.B.D.N
SVF2N60T.F.M. MJ.D.N.NF
SVF2N65F.N.MJ
SVF2N70F.M.D.NF.MJ
SVF2N80AD
SVF3N80T.F.M.MJ.D
SVF4N60T.F.M.MJ.K.D
SVF4N65T.F.M.D.MJ.K.S
SVF4N70F
SVF4N80F.D.MJ
SVF830T. F. D. MJ.M
SVF5N60T.F.MJ.D
SVF5N80T.F.MJ
SVF6N60F,MJ,D,S
SVF6N70F,MJ
SVF7N60.T.F.MJ.S.K
SVF7N65F.K.S
SVF7N80F
SV F840T, F, D,S
SVF8N60T.F
SVF8N65T
SVF8N70F
SVF8N80T,F
SVF10N60T, F, S, K
SVF10N60AF
SVF10N65T, F, K,S
SVF12N60T. F. S. K
SVF12N65T, F, K,S
SVF13N50T. F. PN
SVF13N60AF
SVF18N50T. F. PN
SVF20NE50PN
SVF20NE60PN
SVF20N50F.PN
SVF20N60F.PN
SVF9N65F
SVF9N90 F. PN
SVF3N50D.MJ
SVF4N90F
SVF9N60T
SVFiN65MJ
SVF18N60F
SVF7N65AF
SVF740F,T
SVF10N80F,K
SVF2NSOF,D,NF,MJ
SVF11N90PN
SVF730M,F,T,D
SVF23N50PN
SVF25NE50PN
SVF1N50B
SVF18NE50PN
SVF11N60F, T
SVF11NE90PN
SVF7N65BF
SVF4N60BF
SVF14N50F
SVF18N65F
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